[实用新型]ESD保护电路用半导体装置

摘要

本实用新型涉及ESD保护电路用半导体装置。ESD保护器件(1)具备Si基板(10)和再布线层(20)。再布线层的Ti/Cu/Ti电极(23A、23B)经由接触孔(22A、22B)与形成在Si基板的表面的具有Al电极膜(111～113、121、131)的ESD保护电路导通。Al电极膜(121)与Ti/Cu/Ti电极(23A)导通，Al电极膜(131)与Ti/Cu/Ti电极(23B)导通。在Al电极膜(111、121)间形成二极管形成区域(141)，在Al电极膜(112、131)间形成二极管形成区域(144)。Ti/Cu/Ti电极(24A)不与二极管形成区域(144)重叠，Ti/Cu/Ti电极(24B)不与二极管形成区域(141)重叠。

主权项

一种ESD保护电路用半导体装置，其特征在于，具备：形成在俯视时矩形状的半导体基板内的第一二极管以及第二二极管；分别形成在所述半导体基板的表面的第一输入输出电极以及第二输入输出电极，所述第一输入输出电极与所述第一二极管的一端连接，所述第二输入输出电极与所述第二二极管的一端连接；以及分别形成于设置在所述半导体基板的表面的再布线层并经由第一接触孔与所述第一输入输出电极连接的第一布线电极、以及经由第二接触孔与所述第二输入输出电极连接的第二布线电极，所述第一输入输出电极以及所述第二输入输出电极分别沿着所述俯视时矩形状的半导体基板的第一方向被配置在中央部分，所述第一布线电极在俯视时从与所述第一输入输出电极重叠的区域向所述矩形状的半导体基板的与所述第一方向正交的第二方向迂回成L字形，并且，所述第一布线电极在俯视时与形成有所述第一二极管的区域重叠，与形成有所述第二二极管的区域不重叠，所述第二布线电极在俯视时从与所述第二输入输出电极重叠的区域向所述俯视时矩形状的半导体基板的所述第二方向迂回成L字形，并且，所述第二布线电极在俯视时与形成有所述第二二极管的区域重叠，与形成有所述第一二极管的区域不重叠，所述第一布线电极的一部分作为ESD保护器件的第一输入输出端被利用，所述第二布线电极的一部分作为第二输入输出端被利用。