[实用新型]三维集成电路有效
| 申请号： | 201621110405.1 | 申请日： | 2016-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN206516630U | 公开（公告）日： | 2017-09-22 |
| 发明（设计）人： | E·F·希欧多尔;I·C·迈克尔 | 申请（专利权）人： | 硅源公司 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司11327 | 代理人： | 李琳,许向彤 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种三维集成电路(3D IC)，包括上器件层，具有转移器件互连层，和与所述转移器件互连层相对的一侧上的分离表面；粘结氧化层；以及下器件层，包括下器件互连层，所述下器件互连层粘结在所述上器件层上并且与所述转移器件互连层连通。本申请提供了异质且非均匀层的三维堆叠和互连，例如，完全制成的集成电路。包括用于显著减小层间分离并且增加可用的层间连接密度，从而得到增加的信号带宽和系统功能。 | ||
| 搜索关键词： | 三维集成电路 | ||
【主权项】：
一种三维集成电路，包括：上器件层，具有转移器件互连层，和与所述转移器件互连层相对的一侧上的分离表面；粘结氧化层；以及下器件层，包括下器件互连层，所述下器件互连层粘结在所述上器件层上并且与所述转移器件互连层连通。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于硅源公司，未经硅源公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201621110405.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
