[实用新型]一种用于特征提取的语音滤波电路及语音绘图系统有效
申请号: | 201621117788.5 | 申请日: | 2016-10-12 |
公开(公告)号: | CN206116013U | 公开(公告)日: | 2017-04-19 |
发明(设计)人: | 凌滨;崔珊珊;孟凡曦;游岚华 | 申请(专利权)人: | 东北林业大学 |
主分类号: | G10L15/02 | 分类号: | G10L15/02;G10L15/22 |
代理公司: | 哈尔滨市松花江专利商标事务所23109 | 代理人: | 杨立超 |
地址: | 150040 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | 本实用新型提供了一种用于特征提取的语音滤波电路及语音绘图系统,属于语音信号滤波领域,语音滤波电路包括电压输入端、电压输出端、若干三极管以及电容,电容C1并联在三极管T1的集电极与发射极两端,三极管T1的集电极分别与三极管T2的基极以及三极管T3的集电极连接,三极管T1的基极与三极管T5的基极连接,三极管T1的发射极、三极管T2的发射极、三极管T5的发射极、三极管T7的发射极以及三极管T8的发射极均与接地端连接;电容C2并联在所述三极管T2的集电极与发射极两端,三极管T5的集电极与三极管T6的集电极以及三极管T7的集电极连接。本实用新型便于语音特征提取和计算,提高了语音识别的分辨率和精度。本实用新型适用于语音识别系统。 | ||
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【主权项】:
一种用于特征提取的语音滤波电路,其特征在于,包括电压输入端、电压输出端、三极管T1、三极管T2、三极管T3、三极管T4、三极管T5、三极管T6、三极管T7、三极管T8、三极管T9、电容C0、电容C1、电容C2,其中:所述电容C1并联在所述三极管T1的集电极与发射极两端,所述三极管T1的集电极分别与所述三极管T2的基极以及所述三极管T3的集电极连接,所述三极管T1的基极与所述三极管T5的基极连接,所述三极管T1的发射极、所述三极管T2的发射极、三极管T5的发射极、三极管T7的发射极以及三极管T8的发射极均与接地端连接;所述电容C2并联在所述三极管T2的集电极与发射极两端,所述三极管T2集电极与电源输入端以及所述三极管T4的集电极连接;所述三极管T5的集电极与所述三极管T6的集电极以及所述三极管T7的集电极连接,所述三极管T7的集电极与所述三极管T7的基极连接,所述三极管T7的基极与所述三极管T8的基极连接,所述三极管T8的集电极与所述三极管T9的集电极连接;所述电容C0并联在所述三极管T9的基极与所述三极管T9的发射极两端,所述三极管T9的集电极与所述电压输出端连接;所述三极管T3的集电极、三极管T4的集电极、三极管T6的集电极以及三极管T9的集电极均与参考电压连接;所述三极管T1、三极管T5、三极管T7、三极管T8均为P沟道型MOS管,所述三极管T3、三极管T4、三极管T6、三极管T9均为N沟道型MOS管。
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