[实用新型]一种用于中子俘获治疗的中子发生器有效
| 申请号： | 201621177273.4 | 申请日： | 2016-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN206314050U | 公开（公告）日： | 2017-07-07 |
| 发明（设计）人： | 周烨 | 申请（专利权）人： | 四川瑶天纳米科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H05H3/06 | 分类号： | H05H3/06;H05H6/00 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙)51220 | 代理人： | 廖慧敏 |
| 地址： | 610000 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种用于中子俘获治疗的中子发生器，解决了现有氘氘中子发生器的体积大、结构复杂、产额小的问题。本实用新型包括真空腔体，设置在真空腔体上的抽真空系统，设置在真空腔体内的靶系统，将离子引导到靶系统上的离子源系统，所述离子源系统包括设置在真空腔体内的放电室（9），设置在放电室（9）上的引出电极（10）；所述引出电极（10）的数量为多个，均匀分布在放电室（9）一周的侧壁上；所述靶系统包括位于真空腔体内且围绕放电室（9）一周的侧壁设置的靶件（11），与靶件（11）连接的负高压电源（13）。本实用新型的氘氘中子产额最大达到1012n/s，满足中子俘获治疗肿瘤的研究需求，且具有体积小、寿命长等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 中子 俘获 治疗 发生器 | ||
【主权项】：
一种用于中子俘获治疗的中子发生器，包括真空腔体，设置在真空腔体上的抽真空系统，设置在真空腔体内的靶系统，将离子引导到靶系统上的离子源系统，其特征在于，所述离子源系统包括设置在真空腔体内的放电室(9)，设置在放电室(9)上的引出电极(10)；所述引出电极(10)为多孔，均匀分布在放电室(9)的一周的侧壁；所述靶系统包括位于真空腔体内且围绕放电室(9)一周的侧壁设置的靶件(11)，与靶件(11)连接的负高压电源(13)。
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