[实用新型]基于光子晶体光响应增强技术的石墨烯红外传感器有效
申请号: | 201621208965.0 | 申请日: | 2016-11-09 |
公开(公告)号: | CN206271725U | 公开(公告)日: | 2017-06-20 |
发明(设计)人: | 赖伟超;卢伟贤;唐鑫;潘志豪;郑颕怡 | 申请(专利权)人: | 香港生产力促进局 |
主分类号: | H01L31/101 | 分类号: | H01L31/101;H01L31/028;H01L31/0232 |
代理公司: | 北京汇泽知识产权代理有限公司11228 | 代理人: | 毛广杰 |
地址: | 中国香港九*** | 国省代码: | 香港;81 |
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摘要: | 本实用新型公开一种基于光子晶体光响应增强技术的石墨烯红外传感器,该石墨烯红外传感器包括硅片,部分的硅片上方具有绝缘层,绝缘层的上方具有电极层,当选择具有二氧化硅层的硅片时,则直接于部分的硅片上方形成电极层,部分的电极层以及部分的硅片上方具有感光纳米石墨烯材料层,剩余全部的电极层、感光纳米石墨烯材料层的上方以及剩余全部的硅片的上方具有通过光刻制备的光子晶体部分。本实用新型使用新型纳米石墨烯材料作为感光材料,并加入光子晶体汇聚特定波长红外线,提高了光响应率,并且其制备过程简单,成本低,是一种无需制冷的量子传感器。 | ||
搜索关键词: | 基于 光子 晶体 响应 增强 技术 石墨 红外传感器 | ||
【主权项】:
一种基于光子晶体光响应增强技术的石墨烯红外传感器,其特征在于,包括硅片,部分的硅片的抛光面上具有连续且厚度均匀的绝缘层,绝缘层的上方具有连续且厚度均匀的电极层,部分的电极层以及部分的硅片上方具有感光纳米石墨烯材料层,剩余全部的电极层、感光纳米石墨烯材料层的上方以及剩余全部的硅片的上方具有通过光刻制备的光子晶体部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的