[实用新型]基于光子晶体光响应增强技术的石墨烯红外传感器有效

专利信息
申请号: 201621208965.0 申请日: 2016-11-09
公开(公告)号: CN206271725U 公开(公告)日: 2017-06-20
发明(设计)人: 赖伟超;卢伟贤;唐鑫;潘志豪;郑颕怡 申请(专利权)人: 香港生产力促进局
主分类号: H01L31/101 分类号: H01L31/101;H01L31/028;H01L31/0232
代理公司: 北京汇泽知识产权代理有限公司11228 代理人: 毛广杰
地址: 中国香港九*** 国省代码: 香港;81
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型公开一种基于光子晶体光响应增强技术的石墨烯红外传感器,该石墨烯红外传感器包括硅片,部分的硅片上方具有绝缘层,绝缘层的上方具有电极层,当选择具有二氧化硅层的硅片时,则直接于部分的硅片上方形成电极层,部分的电极层以及部分的硅片上方具有感光纳米石墨烯材料层,剩余全部的电极层、感光纳米石墨烯材料层的上方以及剩余全部的硅片的上方具有通过光刻制备的光子晶体部分。本实用新型使用新型纳米石墨烯材料作为感光材料,并加入光子晶体汇聚特定波长红外线,提高了光响应率,并且其制备过程简单,成本低,是一种无需制冷的量子传感器。
搜索关键词: 基于 光子 晶体 响应 增强 技术 石墨 红外传感器
【主权项】:
一种基于光子晶体光响应增强技术的石墨烯红外传感器,其特征在于,包括硅片,部分的硅片的抛光面上具有连续且厚度均匀的绝缘层,绝缘层的上方具有连续且厚度均匀的电极层,部分的电极层以及部分的硅片上方具有感光纳米石墨烯材料层,剩余全部的电极层、感光纳米石墨烯材料层的上方以及剩余全部的硅片的上方具有通过光刻制备的光子晶体部分。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于香港生产力促进局,未经香港生产力促进局许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201621208965.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top