[实用新型]一种晶圆可接受测试结构有效
| 申请号： | 201621349542.0 | 申请日： | 2016-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN206312895U | 公开（公告）日： | 2017-07-07 |
| 发明（设计）人： | 杨俊洲 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所31219 | 代理人： | 王华英 |
| 地址： | 100176 北京市大兴*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种晶圆可接受测试结构，位于晶圆切割道内，适于对多晶硅刻蚀残留的侦测，包括半导体衬底，半导体衬底包括有源区和位于有源区之间的浅沟槽隔离区，有源区至少有两个，有源区的表面至少设有一个栅氧结构；靠近所述浅沟槽隔离区两侧的栅氧结构的表面以及浅沟槽隔离区表面沉积有至少两个多晶硅条，且多晶硅条之间设有间距。本实用新型的晶圆可接受测试结构能够及时有效的侦测出浅沟槽隔离区中多晶硅刻蚀的残留，进而做出相应的措施，减小晶圆良率的损失。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 可接受 测试 结构 | ||
【主权项】：
一种晶圆可接受测试结构，位于晶圆切割道内，适于对多晶硅刻蚀残留的侦测，包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括有源区和位于所述有源区之间的浅沟槽隔离区，其特征在于，所述有源区至少有两个，所述有源区的表面至少设有一个栅氧结构；靠近所述浅沟槽隔离区两侧的所述栅氧结构的表面以及所述浅沟槽隔离区表面沉积有至少两个多晶硅条，且所述多晶硅条之间设有间距。
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