[实用新型]一种提高铝栅工艺击穿电压的结构有效
| 申请号： | 201621371032.3 | 申请日： | 2016-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN206379354U | 公开（公告）日： | 2017-08-04 |
| 发明（设计）人： | 曹进伟;陈孟邦;乔世成;蔡荣怀;黄国华 | 申请（专利权）人： | 宗仁科技(平潭)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所44237 | 代理人： | 阳开亮 |
| 地址： | 350400 福建省福州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型属于半导体集成电路制造工艺技术领域，提供了一种提高铝栅工艺击穿电压的结构，包括PN结，所述PN结包括P型半导体和N型半导体，所述P型半导体和所述N型半导体进行隔离。由此通过将PN结中的P型半导体和N型半导体进行隔离，实现了提高铝栅工艺击穿电压的效果，得到的击穿电压可达20V以上，解决了现有的铝栅工艺技术存在着击穿电压难以达到十几伏的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 工艺 击穿 电压 结构 | ||
【主权项】：
一种提高铝栅工艺击穿电压的结构，包括PN结，所述PN结包括P型半导体和N型半导体，其特征在于，所述P型半导体和所述N型半导体进行隔离。
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