[实用新型]基于浮栅MOS管的差分型单边沿T触发器有效
| 申请号： | 201621371111.4 | 申请日： | 2016-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN206237376U | 公开（公告）日： | 2017-06-09 |
| 发明（设计）人： | 胡晓慧;杭国强;杨旸;章丹艳;周选昌;刘承成 | 申请（专利权）人： | 浙江大学城市学院 |
| 主分类号： | H03K3/012 | 分类号： | H03K3/012;H03K3/356 |
| 代理公司： | 杭州九洲专利事务所有限公司33101 | 代理人： | 张羽振 |
| 地址： | 310015*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种于浮栅MOS管的差分型单边沿T触发器，包括输入控制结构、差分结构的主触发器和差分结构的从触发器。本实用新型的有益效果是输入控制结构由简单的组合逻辑电路组成。电路利用了浮栅MOS管所具有的阈值易于控制这一自然属性，无需增加特别的电路，仅需通过在n型浮栅MOS管中增加一个输入端就可以方便的控制电路的开关。差分结构的触发器由于具有互补输出、低功耗、简单的结构等优点，而运用n型浮栅MOS管下拉网络代替了传统的差分型触发器中的nMOS逻辑电路，简化了下拉网络结构，从而进一步减小了电路的功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 mos 差分型单 边沿 触发器 | ||
【主权项】：
一种基于浮栅MOS管的差分型单边沿T触发器，其特征在于：包括输入控制结构、差分结构的主触发器和差分结构的从触发器；所述输入控制结构由组合逻辑电路构成，异或门XOR1构成F1输入结构，异或门XOR2和非门I1构成F2输入结构；XOR1的输出为F1；XOR2的输出为I1的输入，I1的输出为F2；所述主触发器由构成差分结构的两个PMOS管m3和m4以及两个三输入n型浮栅MOS管m1和m2构成；所述从触发器由构成差分结构的两个PMOS管m7和m8，两个三输入n型浮栅MOS管m5和m6以及两个反相器INV1和INV2构成；所述PMOS管m3、m4、m7和m8源级接工作电压VDD，所述三输入n型浮栅MOS管m1、m2、m5和m6的源级接地；所述主触发器中构成差分结构的两个PMOS管m3和m4的漏极分别与两个三输入n型浮栅MOS管m1和m2的漏极连接，并且产生主触发器的输出和x；所述从触发器中构成差分结构的两个PMOS管m7和m8的漏极分别与两个三输入n型浮栅MOS管m5和m6的漏极连接，并通过两个反相器INV1和INV2连接到输出端Q和
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