[实用新型]磁控溅射镀膜源及其装置有效
| 申请号： | 201621442621.6 | 申请日： | 2016-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN206553623U | 公开（公告）日： | 2017-10-13 |
| 发明（设计）人： | 王开安 | 申请（专利权）人： | 王开安 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 深圳市智享知识产权代理有限公司44361 | 代理人： | 蔺显俊 |
| 地址： | 美国加利福*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及材料沉积技术领域，具体涉及磁控溅射镀膜源及其装置。磁控溅射镀膜源包括相对设置的位于工件同侧的柱形第一镀膜组件，第二镀膜组件和分别设置于其内部的磁力产生件，所述第一镀膜组件中心轴线与第二镀膜组件中心轴线平行且相对于工件等高，在第一镀膜组件内的磁力产生件朝向其中心轴线的为第一磁极，在第二镀膜组件内的磁力产生件朝向其中心轴线的为第二磁极，所述第一磁极与第二磁极相反。磁控溅射镀膜装置采用磁控镀膜溅射源，能将过热的电子或其他携带能量的负离子被磁场束缚在两个镀膜组件之间，从而大大减少轰击工件的机会，并能有效地抑制工艺温度上升，实现低温镀膜。 | ||
| 搜索关键词： | 磁控溅射 镀膜 及其 装置 | ||
【主权项】：
一种磁控溅射镀膜源，用于为工件镀膜，其特征在于：其包括相对设置的位于工件同侧的柱形第一镀膜组件，第二镀膜组件和分别设置于其内部的磁力产生件，所述第一镀膜组件中心轴线与第二镀膜组件中心轴线平行且相对于工件等高，在第一镀膜组件内的磁力产生件朝向其中心轴线的为第一磁极，在第二镀膜组件内的磁力产生件朝向其中心轴线的为第二磁极，所述第一磁极与第二磁极相反。
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