[发明专利]吸附装置和真空处理装置有效
| 申请号： | 201680003147.3 | 申请日： | 2016-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN106796915B | 公开（公告）日： | 2020-02-18 |
| 发明（设计）人： | 前平謙;不破耕;早坂智洋 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H02N13/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 闫小龙;刘春元 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种使在与吸附对象物接触的面的吸附力降低来抑制吸附对象物的吸附和剥离时的灰尘的产生并且能够以使吸附装置的吸附力均匀的方式进行控制的技术。本发明的吸附装置具有：在电介质中具有用于对基板10进行吸附保持的逆极性的一对吸附电极11、12的主体部50、以及相对于一对吸附电极11、12在主体部50的吸附侧的部分以跨越一对吸附电极11的阳极11a和阴极11b以及一对吸附电极12的阳极12a和阴极12b的方式分别配置的导电性膜51。 | ||
| 搜索关键词： | 吸附 装置 真空 处理 | ||
【主权项】：
一种吸附装置，其中，具有：主体部，在电介质中具有用于对吸附对象物进行吸附保持的多个逆极性的一对吸附电极；以及多个导电性膜，相对于所述多个一对吸附电极在所述主体部的吸附侧的部分以跨越所述多个一对吸附电极的阳极和阴极的方式配置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
