[发明专利]防护膜组件膜、防护膜组件框体、防护膜组件及其制造方法有效
申请号: | 201680003768.1 | 申请日: | 2016-01-22 |
公开(公告)号: | CN107003602B | 公开(公告)日: | 2021-03-12 |
发明(设计)人: | 大久保敦;美谷岛恒明;小野阳介;高村一夫;藤井泰久;松本信子 | 申请(专利权)人: | 三井化学株式会社 |
主分类号: | G03F1/62 | 分类号: | G03F1/62;G03F1/66;G03F7/20 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 金鲜英;涂琪顺 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 防护膜组件存在如下的问题:在制造过程中由于各种各样的原因而被尘埃等污染,特别是在修整时、对防护膜组件膜进行各种加工时,尘埃等附着的风险高。对此,本发明提供一种使尘埃等的附着减少的EUV用防护膜组件的制造方法。一种防护膜组件的制造方法,其特征在于,在基板上形成防护膜组件膜,修整基板,以及在修整后至少去除基板的一部分。此外,在去除基板的一部分之前,至少去除附着于防护膜组件膜表面的粒子。 | ||
搜索关键词: | 防护 组件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种防护膜组件的制造方法,其特征在于,在基板上形成防护膜组件膜,修整所述基板,以及在所述修整后至少去除所述基板的一部分。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三井化学株式会社,未经三井化学株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201680003768.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:炫彩换壳密码锁U盘
- 下一篇:一种网络购物促销系统
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备