[发明专利]发光装置有效
申请号: | 201680005563.7 | 申请日: | 2016-01-29 |
公开(公告)号: | CN107112404B | 公开(公告)日: | 2019-09-24 |
发明(设计)人: | 林迈克;根井正美;金京元 | 申请(专利权)人: | 首尔半导体株式会社 |
主分类号: | H01L33/62 | 分类号: | H01L33/62;H01L33/64 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 孙昌浩;李盛泉 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明提供一种发光装置。所述发光装置包括:第二基板,包括第二基座、导电图案及绝缘图案,所述导电图案位于第二基座上,所述绝缘图案位于第二基座与导电图案之间;第一基板,位于第二基板上,且包括第一基座、第一电极和第二电极;以及发光二极管,位于第一基板上,且包括发光部、第一焊盘电极和第二焊盘电极,所述第一焊盘电极和第二焊盘电极位于发光部与第一基板之间,其中,第二基板的第二基座包括向上部突出的突出部,所述突出部抵接于第一基板。 | ||
搜索关键词: | 发光 装置 | ||
【主权项】:
1.一种发光装置,包括:第二基板,包括第二基座、导电图案及绝缘图案,所述导电图案位于所述第二基座上,所述绝缘图案位于所述第二基座与所述导电图案之间;第一基板,位于所述第二基板上,且包括第一基座、第一电极和第二电极;以及发光二极管,位于所述第一基板上,且包括发光部、第一焊盘电极和第二焊盘电极,所述第一焊盘电极和第二焊盘电极位于所述发光部与第一基板之间,其中,所述第二基板的第二基座包括向上部突出的突出部,所述突出部抵接于所述第一基板所述发光二极管包括发光结构体,所述发光结构体包括第一导电型半导体层、位于所述第一导电型半导体层上的活性层以及位于所述活性层上的第二导电型半导体层,所述发光结构体包括多个台面,所述多个台面包括在所述第一导电型半导体上去除部分所述第二导电型半导体层和所述活性层而形成的所述第二导电型半导体层和所述活性层,所述发光二极管包括:绝缘层,包括使所述第一导电型半导体层局部暴露的开口和使所述第二导电型半导体层局部暴露的开口;第一接触电极,形成在使所述第一导电型半导体层局部暴露的开口上;以及第二接触电极,形成在所述第二导电型半导体层上,所述第一接触电极形成为覆盖除了使所述第二导电型半导体层局部暴露的开口之外的发光结构体的全部上表面,所述发光结构体的厚度为20μm以上。
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