[发明专利]用于制造大量光电子半导体器件的方法以及光电子半导体器件

摘要

说明了一种用于制造大量光电子半导体器件（1）的方法，其中所述方法包括如下步骤：a)提供具有半导体层序列（20）的复合体（3），其中所述复合体具有大量彼此机械连接的器件区（3）；b)在所述半导体层序列上构造大量触头（4），其中在每个器件区上构造至少一个触头；c)在所述半导体层序列上构造模塑料（50），其中所述模塑料填充在所述触头之间的中间空间（45）；d)分割具有所述模塑料的复合体，其中在从所述模塑料分割时形成大量成型体（5），所述成型体（5）分别分配有一个来自所述复合体的器件区的半导体主体（2）。此外，还说明了一种光电子半导体器件。

主权项

1.一种用于制造大量光电子半导体器件（1）的方法，所述方法具有如下步骤：a) 提供具有半导体层序列（20）的第一复合体（3），其中所述第一复合体具有大量彼此机械连接的器件区（3）；b) 在所述半导体层序列上构造大量触头（4），其中在每个器件区上构造至少一个触头；c) 在所述半导体层序列上构造第一模塑料（50），其中所述第一模塑料填充在所述触头之间的中间空间（45）；d) 分割具有所述第一模塑料的第一复合体，其中在从所述第一模塑料分割时形成大量第一成型体（5），所述第一成型体（5）分别分配有一个来自所述第一复合体的器件区的半导体主体（2）；其中，所述半导体主体和所述第一成型体在步骤d)之后为了构造第二复合体（35）而用第二模塑料（550）来改型，其中第二模塑料被构造为使得所述触头完全被覆盖，而且所述触头在切断所述第二复合体之前在另一步骤被暴露。