[发明专利]显示装置有效

专利信息
申请号: 201680006616.7 申请日: 2016-01-20
公开(公告)号: CN107210013B 公开(公告)日: 2020-01-14
发明(设计)人: 佐藤敏浩 申请(专利权)人: 株式会社日本显示器
主分类号: G09F9/30 分类号: G09F9/30;G02F1/1368;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/786;H01L51/50
代理公司: 11256 北京市金杜律师事务所 代理人: 陈伟;闫剑平
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种显示装置,抑制翘曲现象的产生,提高显示装置的画质。显示装置具有设置于像素上的薄膜晶体管。薄膜晶体管具有半导体层(SC)、设置于半导体层(SC)之下的第一绝缘层(IN1)、设置于半导体层(SC)之上的第二绝缘层(IN2)、与半导体层(SC)隔开间隔相对置的栅电极(LG、HG、SG)。栅电极包含与半导体层(SC)的下表面相对置的第一栅电极部(LG)、与半导体层(SC)的上表面相对置的第二栅电极部(HG)、与半导体层(SC)的侧面相对置并与第一栅电极部(LG)及第二栅电极部(HG)连接的第三栅电极部(SG)。在半导体层(SC)的周围具有第一绝缘层(IN1)及第二绝缘层(IN2)相互层叠的层叠部。层叠部的一部分位于半导体层(SC)的侧面和第三栅电极部(SG)之间。
搜索关键词: 显示装置
【主权项】:
1.一种显示装置,其特征在于,/n具有设置于呈矩阵状配置的多个像素的每一个的薄膜晶体管,/n所述薄膜晶体管具有半导体层、设置于所述半导体层的下层的第一绝缘层、设置于所述半导体层的上层的第二绝缘层、及与所述半导体层隔开间隔地相对置的栅电极,/n所述半导体层包含源极区域、漏极区域、位于所述源极区域与所述漏极区域之间的沟道区域,且具备上表面、下表面、侧面,所述侧面与所述上表面和所述下表面连接并且具有包含于所述沟道区域的部分,/n所述栅电极包含:第一栅电极部,其隔着所述第一绝缘层与所述半导体层的所述下表面相对置;第二栅电极部,其隔着所述第二绝缘层与所述半导体层的所述上表面相对置;以及第三栅电极部,其与所述半导体层的所述侧面相对置,并且与所述第一栅电极部及所述第二栅电极部相接,/n在所述半导体层的周围具备所述第一绝缘层和所述第二绝缘层相互层叠的层叠部,/n所述层叠部的一部分位于所述半导体层的所述侧面与所述第三栅电极部之间,/n所述半导体层具备:/n第一部分,其在俯视时仅与所述第一栅电极部和所述第二栅电极部中的一方重叠;以及/n第二部分,其在俯视时从所述第一部分突出,与所述第一栅电极部和所述第二栅电极部均没有重叠。/n
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