[发明专利]发光器件及其制造和运行方法有效
申请号: | 201680006688.1 | 申请日: | 2016-01-21 |
公开(公告)号: | CN107431083B | 公开(公告)日: | 2020-06-16 |
发明(设计)人: | A.劳施;D.屈恩莱因 | 申请(专利权)人: | 欧司朗OLED股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 臧永杰;杜荔南 |
地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及发光器件及其制造和运行方法。在发光器件中,第一发射体材料具有至少一个第一激发状态和第二激发状态,其中第二激发状态在能量上在第一激发状态之上,并且在从第一发射体材料的第一激发状态过渡到基本状态的情况下发射第一电磁辐射,并且其中第二发射体材料具有至少一个激发状态,其中在从第二发射体材料的激发状态过渡到第二发射体材料的基本状态的情况下发射第二电磁辐射;对第二发射体材料的激发状态的占用借助从第一发射体材料的第二激发状态到第二发射体材料的激发状态的能量转移来进行,使得能够从第一显示区域发射由第一电磁辐射和第二电磁辐射组成的混合光,且从第二显示区域所发射的光没有第二电磁辐射。 | ||
搜索关键词: | 发光 器件 及其 制造 运行 方法 | ||
【主权项】:
具有发射体层(112)的发光器件(100),• 其中所述发射体层(112)具有发磷光的发射体材料(124)和发荧光的发射体材料(126),并且• 其中所述发射体层(112)具有至少一个预先给定的第一显示区域(102)和第二显示区域(104),º其中所述第一显示区域(102)具有所述发磷光的发射体材料(124)和带有发荧光的发射体材料(126)的掺杂物,并且º其中所述第二显示区域(104)具有所述发磷光的发射体材料(124)并且基本上没有所述发荧光的发射体材料(126);• 其中所述发磷光的发射体材料(124)具有至少一个第一激发状态(T1(1))和第二激发状态(S1(1)),其中所述第二激发状态(S1(1))在能量上在所述第一激发状态(T1(1))之上,并且在从所述发磷光的发射体材料(124)的所述第一激发状态(T1(1))过渡(202)到基本状态(S0(1))的情况下发射第一电磁辐射(128),并且• 其中所述发荧光的发射体材料(126)具有至少一个激发状态(S1(2)),其中在从所述发荧光的发射体材料(126)的所述激发状态(S1(2))过渡(210)到所述发荧光的发射体材料(126)的基本状态(S0(2))的情况下发射第二电磁辐射(130);并且• 其中对所述发荧光的发射体材料(126)的所述激发状态(S1(2))的占用基本上借助从所述发磷光的发射体材料(124)的所述第二激发状态(S1(1))到所述发荧光的发射体材料(126)的所述激发状态(S1(2))的能量转移(208)来进行,使得能够从所述第一显示区域(102)发射由第一电磁辐射(128)和第二电磁辐射(130)组成的混合光(132),并且能够从所述第二显示区域(104)所发射的光基本上没有第二电磁辐射(130)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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