[发明专利]用于制造半导体组件的方法及半导体组件有效

专利信息
申请号: 201680007835.7 申请日: 2016-01-28
公开(公告)号: CN107210294B 公开(公告)日: 2020-03-03
发明(设计)人: 马修·迈因特尔;克里斯托弗·鲍尔;坦森·瓦尔盖斯 申请(专利权)人: 欧司朗光电半导体有限公司;艾克斯瑟乐普林特有限公司
主分类号: H01L25/075 分类号: H01L25/075;H01L33/00;H01L33/22;H01L33/32;H01L33/38;H01L33/46
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 蔡胜有;苏虹
地址: 德国雷*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供了用于制造多个半导体组件的方法,其中在衬底上施加具有第一半导体层、第二半导体层和有源区的半导体层序列。形成用于电接触第一和第二半导体层的接触结构。在半导体层序列上施加辅助衬底,使得半导体层序列布置在辅助衬底与衬底之间。在随后的步骤中,衬底从半导体层序列去除。半导体层序列通过形成使半导体本体分开的至少一个沟槽而结构化成多个半导体本体。形成锚固层以覆盖沟槽和半导体本体的垂直表面。通过对覆盖沟槽的区域中的锚固层进行结构化而形成多个约束件。辅助衬底从半导体本体局部分离,其中约束件保持附接至辅助衬底。通过使约束件从辅助衬底分开选择性地拾取至少一个半导体本体。此外,提供了通过所述方法制造的半导体组件。
搜索关键词: 用于 制造 半导体 组件 方法
【主权项】:
一种用于制造各自具有半导体本体(2)的多个半导体组件(100)的方法,所述方法包括以下方法步骤:A)在衬底(9)上施加具有第一半导体层(21)、第二半导体层(22)和设置在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的有源区(23)的半导体层序列(200);B)形成用于电接触所述第一半导体层(21)和所述第二半导体层(22)的接触结构(7);C)通过形成使所述半导体本体(2)分开的至少一个沟槽(20)来对所述半导体层序列(200)进行结构化;D)在所述半导体层序列(200)上施加辅助衬底(14),使得所述半导体层序列(200)布置在所述辅助衬底(14)与所述衬底(9)之间;E)将所述衬底(9)从所述半导体层序列(200)去除;F)施加覆盖所述沟槽(20)和所述半导体本体(2)的垂直表面的锚固层(8),并且通过对覆盖所述沟槽(20)的区域中的所述锚固层(8)进行结构化来形成多个约束件(83);G)使所述辅助衬底(14)从所述半导体本体(20)局部分离,其中所述约束件(83)保持附接至所述辅助衬底(14);以及H)通过使所述约束件(83)从所述辅助衬底(14)分开选择性地拾取具有一个第一半导体层(21)、一个第二半导体层(22)以及一个有源区(23)的至少一个半导体本体(2)以及一个相关联的接触结构(7)。
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