[发明专利]铁电存储器中的数据保持损失筛选有效
申请号: | 201680008003.7 | 申请日: | 2016-02-16 |
公开(公告)号: | CN107210068B | 公开(公告)日: | 2021-01-26 |
发明(设计)人: | 卡尔·Z·周;约翰·A·罗德里格斯;理查德·A·贝利 | 申请(专利权)人: | 德州仪器公司 |
主分类号: | G11C29/50 | 分类号: | G11C29/50;G11C11/22 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 林斯凯 |
地址: | 美国德*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 所描述实例包含集成电路的数据保持可靠性筛选(45),所述集成电路包含铁电随机存取存储器FRAM阵列。在编程为高极化电容数据状态(48)及在高温(52)下经过弛豫时间(50)之后,在各种参考电压电平(54)下测试所述FRAM阵列中的单元的经取样群组。使用在所述各种参考电压电平(54)下所述样本群组的故障位计数来导出测试参考电压(58),接着在预调节(60)及在所述高温下经过另一弛豫间隔(62)之后,对照所述测试参考电压(58)测试(64)所述集成电路中的所有所述FRAM单元,以确定所述集成电路中易受长期数据保持故障(65)损坏的那些单元。 | ||
搜索关键词: | 存储器 中的 数据 保持 损失 筛选 | ||
【主权项】:
一种测试包含铁电存储器单元的集成电路的方法,其包括:将多个所述铁电存储器单元编程为第一数据状态;接着在第一高温下将所述集成电路烘烤达第一选定持续时间;接着在低于所述第一高温的第二高温下将所述多个铁电存储器单元编程为第二数据状态;接着在所述第二高温下在多个参考电压中的相应一者下读取所述经编程铁电存储器单元的多个样本群组中的每一者,以确定所述多个参考电压中的每一者下的故障单元数目;依据所述多个参考电压下的所述故障单元数目而计算测试参考电压;及接着在所述第二高温下在所述测试参考电压下读取编程有所述第二数据状态的所述多个铁电存储器单元中的每一者。
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