[发明专利]酞菁系配位化合物有效
申请号: | 201680009514.0 | 申请日: | 2016-02-09 |
公开(公告)号: | CN107207873B | 公开(公告)日: | 2019-11-01 |
发明(设计)人: | 岩田亮介;石井康久;水野干久 | 申请(专利权)人: | 迪睿合电子材料有限公司 |
主分类号: | C09B47/12 | 分类号: | C09B47/12;C07D487/22;C07F1/08;C07F3/06;C09B47/24 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 齐雪娇;金玉兰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 提供一种通过涂布于金属面,能够提高(i)相对于金属的紧密贴合性、和(ii)耐久性的酞菁系配位化合物。上述酞菁系配位化合物的特征在于由下述通式(1)表示。上述通式(1)中的M为Cu、Fe、Ti、V、Ni、Pd、Pt、Pb、Si、Bi、Cd、La、Tb、Ce、Be、Mg、Co、Ru、Mn、Cr、Mo、Sn以及Zn中的任一个,M可以存在,也可以不存在,上述通式(1)中的R1~R4在酞菁部位存在一个以上即可,包括由下述通式组(A)的通式中的任一个表示的离子,各自可以相同也可以不同,上述通式组(A)中的R5~R7为氢或者烃基,各自可以相同也可以不同,上述R1~R4还包括由下述通式组(B)的通式中的任一个表示的抗衡离子,上述通式组(B)中的X为由SO3‑、COO‑、PO3H‑、PO32‑、N+R8R9R10、PhN+R8R9R10表示的离子、由下述通式(2)表示的离子、以及由下述结构式(1)表示的离子中的任一个,上述通式组(B)、N+R8R9R10、PhN+R8R9R10、以及通式(2)中的R8~R10为氢或者烃基,各自可以相同也可以不同。 | ||
搜索关键词: | 酞菁系配位 化合物 | ||
【主权项】:
1.一种透明导电膜,其特征在于,包含金属纳米线,所述金属纳米线具有金属纳米线主体和吸附到所述金属纳米线主体的有色化合物,所述有色化合物是由下述结构式(2)、(5)、(7)和(9)中的任一个表示的酞菁系化合物,
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