[发明专利]用于采用P型场效应晶体管(PFET)写入端口的存储器位胞元的字线负升压写入辅助电路和相关系统及方法

摘要

本发明公开用于采用P型场效应晶体管PFET写入端口的存储器位胞元(“位胞元”)的写入辅助电路。还公开了相关的方法及系统。已观察到，随着节点技术的大小按比例缩小，PFET驱动电流(即，驱动强度)超出用于类似尺寸的FET的N型场效应晶体管NFET驱动电流。就这点来说，在一个方面中，相对于NFET写入端口，需要提供具有PFET写入端口的位胞元来减少到所述位胞元的存储器写入时间，且由此改进存储器性能。为缓解在将数据写入位胞元时原本可发生的写入争用，可采用以负字线升压电路的形式提供的写入辅助电路来加强具有PFET写入端口的存储器位胞元中的PFET存取晶体管。

主权项

一种存储器系统，其包括：存储器位胞元，其被配置成响应于写入操作而存储数据，所述存储器位胞元包括一或多个P型场效应晶体管PFET存取晶体管，所述一或多个P型场效应晶体管存取晶体管各自包括被配置成响应于所述写入操作由字线激活的栅极；及字线负升压电路，其耦合到所述字线，所述字线负升压电路被配置成响应于所述写入操作负升压所述字线上的电压以负升压所述一或多个PFET存取晶体管的所述一或多个栅极上的电压。