[发明专利]固态摄像器件和制造方法、半导体晶片及电子装置有效
申请号: | 201680011455.0 | 申请日: | 2016-02-26 |
公开(公告)号: | CN107251225B | 公开(公告)日: | 2021-12-14 |
发明(设计)人: | 岩渕寿章 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/14 | 分类号: | H01L27/14;H01L21/301;H01L21/66;H01L21/822;H01L27/04;H04N5/369 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 姚鹏;曹正建 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及能够提高良品率的固态摄像器件和制造方法、半导体晶片以及电子装置。在半导体晶片上形成有芯片区域和划线区域,在所述芯片区域中形成有构成固态摄像器件的像素等。所述划线区域包括测量区域和在将所述半导体晶片单片化时将被切割的切割线,在所述测量区域中形成有用于测量所述芯片区域的性能的检查电路以及测量焊盘。所述测量区域位于所述切割线与所述芯片区域之间。本发明可应用于固态摄像器件。 | ||
搜索关键词: | 固态 摄像 器件 制造 方法 半导体 晶片 电子 装置 | ||
【主权项】:
一种固态摄像器件,其包括:芯片区域,在所述芯片区域中设置有多个像素和用于驱动所述像素的元件;以及测量区域,其与所述芯片区域相邻地设置,且在所述测量区域中没有设置驱动所述像素所需的元件和配线,而是设置有用于测量所述芯片区域的性能的测量焊盘。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的