[发明专利]用于电阻式存储器器件的电极结构有效
| 申请号： | 201680011544.5 | 申请日： | 2016-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN107257999B | 公开（公告）日： | 2020-03-06 |
| 发明（设计）人： | 鲁宇;包钧敬;李霞;康相赫 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;H01L23/544;H01L43/02;H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;崔卿虎 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括形成在互连(104、108)上的电阻式存储器器件底部电极(118、120)。包括钴钨磷(CoWP)的、优选地通过无电沉积形成的底部电极特别适合于磁性隧道结MRAM器件(126、128)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 电阻 存储器 器件 电极 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：互连；以及电阻式存储器器件的电极，所述电极耦合到所述互连，所述电极包括钴钨磷(CoWP)。
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