[发明专利]形成具有低Z高度3D相机的集成封装结构的方法有效
申请号: | 201680011851.3 | 申请日: | 2016-02-25 |
公开(公告)号: | CN107278327B | 公开(公告)日: | 2022-05-31 |
发明(设计)人: | W·施 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L31/0232;H04N13/204 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 陈松涛;韩宏 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 说明了形成3D相机设备的方法以及由此形成的结构。实施例包括被设置在板上的第一光学模块和第二光学模块,其中,第一传感器管芯耦合到第一光学模块,第二传感器管芯耦合到第二光学模块。第一传感器管芯和第二传感器管芯直接耦合到板,并且柔性导电连接器耦合到第一光学模块和第二光学模块两者。 | ||
搜索关键词: | 形成 具有 高度 相机 集成 封装 结构 方法 | ||
【主权项】:
一种微电子结构,包括:第一滤波器,所述第一滤波器包括第一侧和第二侧;第一管芯的第一侧,所述第一管芯的第一侧直接耦合到所述滤波器的第一侧的中心部分;柔性导电连接器,所述柔性导电连接器直接耦合到所述第一滤波器的第一侧的端部部分;以及第一光学模块,所述第一光学模块直接耦合到所述第一滤波器的第二侧。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的