[发明专利]摄像装置、其制造方法和电子设备有效
| 申请号： | 201680011954.X | 申请日： | 2016-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN107278328B | 公开（公告）日： | 2021-01-19 |
| 发明（设计）人： | 胁山悟;田川幸雄 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 陈桂香;曹正建 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本技术提供了一种摄像装置，其包括第一半导体基板(21)和第二半导体基板(81)。第一半导体基板具有第一区域(22、R11)、第二区域(R12)和连接部(53、84、85)，第一区域(22、R11)包括光电转换部(67)和通路部(51)，通路部(51)穿透第一半导体基板的半导体层(62)，第二区域(R12)在与第一半导体基板的表面平行的方向上与第一区域邻接，连接部(53、84、85)被布置在第二区域中。在所述摄像装置中，连接部将处于堆叠构造中的第一半导体基板和第二半导体基板电气连接，并且连接部的宽度大于通路部的宽度。第一半导体基板还包括设置于半导体层的表面侧处的布线层。通路部被连接至设置于该布线层中的布线。连接部被形成在该布线层中。 | ||
| 搜索关键词： | 摄像 装置 制造 方法 电子设备 | ||
【主权项】：
一种摄像装置，其包括：第一半导体基板，所述第一半导体基板包括：第一区域，所述第一区域具有光电转换部和通路部；第二区域，所述第二区域与所述第一区域邻接；和连接部，所述连接部被布置在所述第二区域中；以及第二半导体基板，其中，所述连接部将处于堆叠构造中的所述第一半导体基板和所述第二半导体基板电气连接，并且其中，所述连接部的宽度大于所述通路部的宽度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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