[发明专利]自存储和自恢复非易失性静态随机存取存储器有效
| 申请号： | 201680012419.6 | 申请日： | 2016-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN107430886B | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | S·汤米施玛;D·E·尼科诺夫;E·V·卡尔波夫;I·A·扬;R·S·周 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413;G11C11/416;G11C11/419;G11C14/00;G11C11/411;G11C11/412;G11C13/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述了一种装置，其包括：具有集成在SRAM单元内的至少两个非易失性(NV)电阻式存储器元件的静态随机存取存储器(SRAM)单元；以及将存储在SRAM单元中的数据自存储到至少两个NV电阻式存储器元件的第一逻辑。提供了一种方法，其包括：当施加到SRAM单元的电压降低到阈值电压时执行自存储操作以将SRAM单元的电压状态存储到至少两个非NV电阻式存储器元件，其中至少两个NV电阻式存储器元件与SRAM单元集成在一起；以及当施加到SRAM单元的电压增加到阈值电压时通过将数据从至少两个NV电阻式存储器元件复制到SRAM单元的存储节点来执行自恢复操作。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 恢复 非易失性 静态 随机存取存储器 | ||
【主权项】：
一种装置，包括：静态随机存取存储器(SRAM)单元，其具有集成在所述SRAM单元内的至少两个非易失性(NV)电阻式存储器元件；以及第一逻辑，其用于将存储在所述SRAM单元中的数据自存储到所述至少两个NV电阻式存储器元件。
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