[发明专利]利用锚固件中的MIM的DVC有效
| 申请号： | 201680014343.0 | 申请日： | 2016-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN107430963B | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 罗伯托·彼得勒斯·范·卡普恩;罗伯特·加迪;理查德·L·奈普 | 申请（专利权）人： | 卡文迪什动力有限公司 |
| 主分类号： | H01H59/00 | 分类号： | H01H59/00;H01H1/00 |
| 代理公司： | 11413 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 谢攀;刘继富 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开总地涉及一种MEMS DVC，其利用位于DVC的锚固件中的一个或更多个MIM电容器和位于RF电极上的欧姆接触部。所述MIM电容器与欧姆MEMS器件相结合，确保了通过所施加RF功率实现用于MEMS DVC的稳定电容。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 锚固 中的 mim dvc | ||
【主权项】：
1.一种DVC，包括：/n衬底，其具有布置在其中的至少一个RF电极和至少一个锚固电极；/n绝缘层，其布置在所述至少一个锚固电极上；/n导电层，其布置在所述绝缘层上，其中，所述至少一个锚固电极、绝缘层和导电层形成MIM电容器；以及/n至少一个MEMS桥，其布置在所述衬底之上并且锚固到所述导电层，所述至少一个MEMS桥能够从与所述RF电极间隔第一距离的位置和与所述RF电极间隔第二距离的位置移动，所述第二距离小于所述第一距离；/n其中，所述DVC还包括布置在所述导电层上的欧姆接触层。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于卡文迪什动力有限公司，未经卡文迪什动力有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201680014343.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于减少热变形的机电系统基板附件
- 下一篇：断路器壳体和装配方法
