[发明专利]基于紧凑ReRAM的FPGA有效
| 申请号： | 201680015229.X | 申请日： | 2016-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN107431487B | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | J·L·麦科勒姆;F·扎维 | 申请（专利权）人： | 美高森美SOC公司 |
| 主分类号： | H03K19/177 | 分类号： | H03K19/177;G11C13/00 |
| 代理公司： | 31100 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 亓云;陈斌 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种推挽电阻随机存取存储器单元电路，包括输出节点、字线、以及第一和第二位线。第一电阻随机存取存储器设备连接在第一位线与输出节点之间，而第二电阻随机存取存储器设备连接在输出节点与第二位线之间。第一编程晶体管具有连接至字线的栅极、连接至输出节点的漏极、以及源极。第二编程晶体管具有连接至字线的栅极、连接至第一编程晶体管的源极的漏极、以及源极。第一和第二编程晶体管具有相同的间距、相同的沟道长度、以及相同的栅极电介质厚度，该栅极电介质厚度被选择成耐受在推挽ReRAM单元电路的操作期间遭遇的编程和擦除电势。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 紧凑 reram fpga | ||
【主权项】：
1.一种推挽电阻随机存取存储器单元电路，包括：/n输出节点；/n字线；/n第一位线；/n第二位线；/n第一电阻随机存取存储器设备，其连接在所述第一位线与所述输出节点之间；/n第二电阻随机存取存储器设备，其连接在所述输出节点与所述第二位线之间；/n第一编程晶体管，其具有连接至所述字线的栅极、连接至所述输出节点的漏极、以及源极；以及/n第二编程晶体管，其具有连接至所述字线的栅极、连接至所述第一编程晶体管的所述源极的漏极、以及连接至字线WLS的源极，/n其中所述第一和第二编程晶体管具有相同的间距、相同的沟道长度、以及相同的栅极电介质厚度，所述第一和第二编程晶体管的所述栅极电介质厚度被选择成耐受在所述推挽电阻随机存取存储器单元电路的操作期间遭遇的编程和擦除电势。/n
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