[发明专利]薄膜晶体管基底和包括其的显示装置有效
申请号: | 201680015775.3 | 申请日: | 2016-05-09 |
公开(公告)号: | CN107407846B | 公开(公告)日: | 2021-10-29 |
发明(设计)人: | 李一翻;黄智泳;李承宪;吴东炫;金起焕;徐汉珉;朴赞亨 | 申请(专利权)人: | 株式会社LG化学 |
主分类号: | G02F1/136 | 分类号: | G02F1/136;H01L27/12;G02F1/1368;G02B1/11 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 蔡胜有;苏虹 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 公开了薄膜晶体管基底和包括其的显示装置。薄膜晶体管基底包括:栅电极;源电极;漏电极;和设置在面向栅极线和数据线基底的表面以及与其相反的表面上的光反射减少层,其中光反射减少层满足以下[式1]:(k×t)/λ的0.004至0.22的值(其中k意指光反射减少层的消光系数;t意指光反射减少层的厚度;并且λ意指光的波长)。 | ||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 基底 包括 显示装置 | ||
【主权项】:
一种薄膜晶体管基底,包括:基底;设置在所述基底上彼此交叉的多条栅极线和多条数据线;薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括与所述栅极线连接的栅电极、设置在所述栅电极上以绝缘于所述栅电极的半导体层、与所述数据线电连接的源电极、和漏电极;以及光反射减少层,所述光反射减少层设置在所述栅电极、所述源电极、所述漏电极、所述栅极线和所述数据线的面向所述基底的平面以及与所述栅电极、所述源电极、所述漏电极、所述栅极线和所述数据线的面向所述基底的所述平面相反的平面上,其中对于所述光反射减少层,下面给出的式1的值落入0.004至0.22的范围,[式1](k×t)λ]]>在式1中,k表示所述光反射减少层的消光系数,t表示所述光反射减少层的厚度,并且λ表示光的波长。
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