[发明专利]形成传感器集成封装的方法和由此形成的结构有效
| 申请号： | 201680018801.8 | 申请日： | 2016-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN107406248B | 公开（公告）日： | 2021-01-15 |
| 发明（设计）人： | K.O.李;Z.周;I.A.萨拉马;F.艾德;S.N.奥斯特;L.W.孔;J.索托冈萨莱斯 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | B81B3/00 | 分类号： | B81B3/00;B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 申屠伟进;张涛 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述了形成传感器集成封装器件的方法和由此形成的结构。实施例包括提供基板核，其中第一导电迹线结构和第二导电迹线结构设置在基板核上；在第一导电迹线结构和第二导电迹线结构之间形成腔体；以及将磁体放置在设置于第一和第二导电迹线结构中的每一个的部分上的抗蚀剂材料上，其中抗蚀剂材料不在腔体之上延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 传感器 集成 封装 方法 由此 结构 | ||
【主权项】：
一种微电子传感器集成封装结构，包括：设置在核材料的导电层上的电介质材料；设置在电介质材料上的第一导电迹线和第二导电迹线；设置在第一导电迹线的部分上和第二导电迹线的部分上的抗蚀剂材料；设置在第一和第二导电迹线之间的腔体，其中抗蚀剂材料不跨腔体延伸；以及直接设置在抗蚀剂材料上的磁体，所述抗蚀剂材料设置在第一导电迹线的所述部分上和第二导电迹线的所述部分上。
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