[发明专利]用于抑制对闪存存储器系统中的未被选择的位线进行编程的方法和设备有效
| 申请号： | 201680019866.4 | 申请日： | 2016-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN107430891B | 公开（公告）日： | 2021-01-22 |
| 发明（设计）人： | H.V.陈;A.李;T.于;H.Q.阮 | 申请（专利权）人： | 硅存储技术公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G11C16/10;G11C16/34 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 胡莉莉;郑冀之 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了用于抑制对耦接至未被选择的位线的存储器单元的编程同时对耦接至闪存存储器阵列中的所选择的位线的存储器单元进行编程的各种实施方案。还公开了用于在耦接至闪存存储器阵列中的所选择的位线的存储器单元的编程期间补偿泄漏电流的各种实施方案。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 抑制 闪存 存储器 系统 中的 选择 进行 编程 方法 设备 | ||
【主权项】：
一种闪存存储器装置，包括：被组织成行和列的闪存存储器单元阵列，闪存存储器单元的每列耦接至位线；编程电路，所述编程电路耦接至所述阵列以向所选择的位线施加编程电流；和编程抑制电路，所述编程抑制电路耦接至所述阵列以向未被选择的位线施加抑制偏置源；其中在编程操作期间，耦接至所选择的位线的所选择的单元被编程，但耦接至所述未被选择的位线的所有单元不被编程。
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