[发明专利]光电子半导体芯片、光电子半导体器件和用于制造光电子半导体芯片的方法有效
申请号: | 201680021246.4 | 申请日: | 2016-03-29 |
公开(公告)号: | CN107431118B | 公开(公告)日: | 2019-04-26 |
发明(设计)人: | 西格弗里德·赫尔曼 | 申请(专利权)人: | 欧司朗光电半导体有限公司 |
主分类号: | H01L33/62 | 分类号: | H01L33/62 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 丁永凡;张春水 |
地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 一种光电子半导体芯片(100),包括基本体,所述基本体具有载体(3)和设置在载体(3)的上侧(30)上的半导体层序列(1),所述半导体层序列在正常运行中发射或吸收电磁辐射。此外,半导体芯片(100)包括两个设置在半导体层序列(1)上并且背离载体(3)的接触面(20,21),经由所述接触面能够电接触半导体层序列(1)。此外,半导体芯片(100)具有两个接触元件(40,41),所述接触元件施加在接触面(20,21)上并且与所述接触面导电连接。基本体的载体(3)包括横向于上侧(30)伸展的侧面(32)和与上侧(30)相对置的下侧(31)。接触元件(40,41)构成为印制导线,所述印制导线从接触面(20,21)开始经过基本体的棱边引导直至载体(3)的侧面(32)上。 | ||
搜索关键词: | 光电子 半导体 芯片 半导体器件 用于 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种发光二极管(500),所述发光二极管包括:‑光电子半导体芯片(100),其中所述光电子半导体芯片具有:‑基本体,所述基本体具有载体(3)和设置在所述载体(3)的上侧(30)上的半导体层序列(1),所述半导体层序列在正常运行中发射电磁辐射,‑两个设置在所述半导体层序列(1)上并且背离所述载体(3)的接触面(20,21),经由所述接触面能够电接触所述半导体层序列(1),和‑两个接触元件(40,41),所述接触元件施加在所述接触面(20,21)上并且与所述接触面导电连接,其中‑所述载体(3)具有横向于所述上侧(30)伸展的侧面(32)和与所述上侧(30)相对置的下侧(31),‑所述接触元件(40,41)构成为印制导线,所述印制导线从所述接触面(20,21)开始经过所述基本体的棱边引导直至所述载体(3)的所述侧面(32)上,‑所述载体(3)是用于所述半导体层序列(1)的生长衬底,‑所述接触元件(40,41)直接地贴靠所述载体(3)的相应的所述侧面(32),‑所述发光二极管(500)包括两个导电的接触块(401,411),所述接触块施加到所述载体(3)的两个侧面(32)上,‑所述接触块(401,411)与所述接触元件(40,41)导电地连接,‑环形地围绕所述基本体设置包覆件(501),所述包覆件完全或部分地覆盖所述基本体的未被所述接触块(401,411)覆盖的部位,‑所述接触块(401,411)在所述发光二极管(500)的未安装的状态下在所述发光二极管(500)的外面处露出,并且在运行中用于外部电接触所述发光二极管(500)。
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