[发明专利]电荷传输性膜、有机电致发光元件及它们的制造方法有效
| 申请号： | 201680023237.9 | 申请日： | 2016-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN107535031B | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 东将之 | 申请（专利权）人： | 日产化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H05B33/10 | 分类号： | H05B33/10;H01L51/50 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种具有50nm～300nm范围内的膜厚的电荷传输性膜的制造方法，其具备下述工序：将包含仅由N,N'‑二芳基联苯胺衍生物组成的电荷传输性物质、掺杂剂物质和有机溶剂的电荷传输性膜形成用清漆涂布在基材上的工序；以及，将所得涂膜以下述式(S1)所示的烧成温度进行烧成的工序。烧成温度>[232.5℃+(前述膜厚/20nm)×5℃](S1)。 | ||
| 搜索关键词： | 电荷 传输 制造 方法 有机 电致发光 元件 提高 | ||
【主权项】：
1.一种电荷传输性膜的制造方法，其特征在于，其是制造具有50nm～300nm范围内的膜厚的电荷传输性膜的方法，其具备下述工序：将包含仅由N,N’‑二芳基联苯胺衍生物组成的电荷传输性物质、掺杂剂物质和有机溶剂的电荷传输性膜形成用清漆涂布在基材上的工序；以及将所得涂膜以式(S1)所示的烧成温度进行烧成的工序，烧成温度>[232.5℃+(所述膜厚/20nm)×5℃](S1)。
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