[发明专利]氮氧化硅梯度构思有效

专利信息
申请号: 201680023536.2 申请日: 2016-06-15
公开(公告)号: CN107810555B 公开(公告)日: 2022-03-15
发明(设计)人: 崔寿永;元泰景;任东吉;约翰·M·怀特;崔弈;张雪娜 申请(专利权)人: 应用材料公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L29/786;H01L27/32
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 徐金国;赵静
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 本公开内容的实施方式一般涉及用于在液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)及有机发光二极管(organic light‑emitting diode,OLED)显示器中使用低温多晶硅(low temperature polysilicon,LTPS)薄膜晶体管的方法及装置。
搜索关键词: 氧化 梯度 构思
【主权项】:
一种薄膜晶体管,包括:基板;两个双层,所述两个双层布置于所述基板之上,各所述双层包括:第一无机层,所述第一无机层具有第一折射率;第二无机层,所述第二无机层具有第二折射率,所述第一折射率系小于所述第二折射率;以及过渡堆叠结构,所述过渡堆叠结构布置于所述第一无机层与所述第二无机层之间,所述过渡堆叠结构包括至少第三无机层及第四无机层,其中:所述第三无机层布置于所述第一无机层上且具有第三折射率;所述第四无机层布置于所述第三无机层上且具有第四折射率;所述第三折射率大于所述第一折射率且小于所述第四折射率;以及所述第四折射率大于所述第三折射率且小于所述第二折射率。
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