[发明专利]氮氧化硅梯度构思有效
申请号: | 201680023536.2 | 申请日: | 2016-06-15 |
公开(公告)号: | CN107810555B | 公开(公告)日: | 2022-03-15 |
发明(设计)人: | 崔寿永;元泰景;任东吉;约翰·M·怀特;崔弈;张雪娜 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/786;H01L27/32 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本公开内容的实施方式一般涉及用于在液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)及有机发光二极管(organic light‑emitting diode,OLED)显示器中使用低温多晶硅(low temperature polysilicon,LTPS)薄膜晶体管的方法及装置。 | ||
搜索关键词: | 氧化 梯度 构思 | ||
【主权项】:
一种薄膜晶体管,包括:基板;两个双层,所述两个双层布置于所述基板之上,各所述双层包括:第一无机层,所述第一无机层具有第一折射率;第二无机层,所述第二无机层具有第二折射率,所述第一折射率系小于所述第二折射率;以及过渡堆叠结构,所述过渡堆叠结构布置于所述第一无机层与所述第二无机层之间,所述过渡堆叠结构包括至少第三无机层及第四无机层,其中:所述第三无机层布置于所述第一无机层上且具有第三折射率;所述第四无机层布置于所述第三无机层上且具有第四折射率;所述第三折射率大于所述第一折射率且小于所述第四折射率;以及所述第四折射率大于所述第三折射率且小于所述第二折射率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的