[发明专利]具有厚的顶层金属设计的功率半导体器件和用于制造这样的功率半导体器件的方法

摘要

提供用于制造功率半导体器件的方法。该方法包含以下的步骤：提供第一导电类型的晶圆（41），晶圆（41）具有第一主侧（42）和与第一主侧（42）相反的第二主侧（43），并且，晶圆（41）包括有源单元区（44）和终止区（45），在晶圆（41）的中心部分中，有源单元区（44）从第一主侧（42）延伸至第二主侧（43），在到与第一主侧（42）平行的平面上的正交投影中，终止区（45）环绕有源单元区（44）；在第一主侧（42）上形成金属化层（46；86），以在有源单元区（44）中与晶圆（41）电接触，其中，金属化层（46；86）的背对着晶圆（41）的表面限定与第一主侧（42）平行的第一平面（B）；在终止区（45）中的第一主侧（42）上形成隔离层（417），其中，隔离层（417）的背对着晶圆（41）的表面限定与第一主侧（42）平行的第二平面（A）；在形成金属化层（46；86）的步骤之后，且在形成隔离层（417）的步骤之后，将晶圆（41）以其第一主侧安装至卡盘（421）的平坦表面；以及此后，在通过在卡盘（421）与研磨轮（422）之间施加压力而将晶圆（41）的第二主侧按压到研磨轮（422）上的同时，通过研磨而使晶圆（41）从其第二主侧（43）变薄，其中，第一平面（B）比第三平面更远离晶圆（41），该第三平面与第二平面（A）平行，并且在朝向晶圆（41）的方向上布置在离第二平面（A）1µm的距离处。

主权项

一种用于制造功率半导体器件的方法，所述方法包含以下的步骤：提供第一导电类型的晶圆（41），所述晶圆（41）具有第一主侧（42）和与所述第一主侧（42）相反的第二主侧（43），并且，所述晶圆（41）包括有源单元区（44）和终止区（45），在所述晶圆（41）的中心部分中，所述有源单元区（44）从所述第一主侧（42）延伸至所述第二主侧（43），在到与所述第一主侧（42）平行的平面上的正交投影中，所述终止区（45）环绕所述有源单元区（44）；在所述第一主侧（42）上形成金属化层（46；86），以在所述有源单元区（44）中与所述晶圆（41）电接触，其中，所述金属化层（46；86）的背对着所述晶圆（41）的表面限定与所述第一主侧（42）平行的第一平面（B；B'）；在所述第一主侧（42）上形成隔离层（417），以覆盖所述终止区（45），其中，所述隔离层（417）的背对着所述晶圆（41）的表面限定与所述第一主侧（42）平行的第二平面（A）；在形成所述金属化层（46；86）的步骤之后，且在形成所述隔离层（417）的步骤之后，将所述晶圆（41）以其第一主侧安装至卡盘（421）的平坦表面；以及此后，在通过在所述卡盘（421）与研磨轮（422）之间施加压力而将所述晶圆（41）的所述第二主侧按压到所述研磨轮上的同时，通过研磨而使所述晶圆（41）从其第二主侧（43）变薄，其特征在于，所述第二平面（A）比所述第一平面（B；B'）更远离所述晶圆（41）至多1 µm，以及形成所述金属化层（46；86）的步骤包含：在形成所述隔离层（417）的步骤之前，在所述有源单元区（44）中的所述第一主侧（42）上形成所述金属化层（46；86）的下部分（46a；86a）的第一步骤；和在形成所述隔离层（417）的步骤之后，在所述有源单元区（44）中的所述金属化层（46；86）的所述下部分（46a；86a）上，形成所述金属化层（46；86）的上部分（46b；86b）的第二步骤。