[发明专利]多层沉积处理装置有效
| 申请号： | 201680027712.X | 申请日： | 2016-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN107636196B | 公开（公告）日： | 2020-03-06 |
| 发明（设计）人： | 亚历山大·利坎斯奇;威廉·戴维斯·李;史费特那·B·瑞都凡诺 | 申请（专利权）人： | 瓦里安半导体设备公司 |
| 主分类号： | C23C14/46 | 分类号： | C23C14/46;C23C14/50 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马爽;臧建明 |
| 地址： | 美国麻萨诸塞*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种处理装置，可包括：提取组件，至少包括第一提取孔隙与第二提取孔隙，提取组件经设置以自等离子体至少提取第一离子束与第二离子束；靶材组件，设置为邻近提取组件且至少包括第一靶材部分(包括第一材料)与第二靶材部分(包括第二材料)，第一靶材部分与第二靶材部分经配置以分别截取第一离子束与第二离子束；以及基板平台，配置为邻近靶材组件且经设置以在第一点与第二点之间沿着扫描轴扫描基板，其中第一靶材部分与第二靶材部分分别自第一点分离第一距离与第二距离，且第一距离小于第二距离。本发明的处理装置可在一次基板扫描中于基板上沉积多个膜层，且可邻近等离子体室来提供基板。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 沉积 处理 装置 | ||
【主权项】：
一种装置，包括：提取组件，至少包括第一提取孔隙与第二提取孔隙，所述提取组件经设置以自等离子体至少提取第一离子束与第二离子束；靶材组件，设置为邻近所述提取组件且至少包括包含第一材料的第一靶材部分与包含第二材料的第二靶材部分，所述第一靶材部分与所述第二靶材部分经配置以分别截取所述第一离子束与所述第二离子束；以及基板平台，配置为邻近所述靶材组件且经设置以在第一点与第二点之间沿着扫描轴扫描基板，其中所述第一靶材部分与所述第二靶材部分分别自所述第一点分离第一距离与第二距离，且所述第一距离小于所述第二距离。
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