[发明专利]光电转换装置有效
| 申请号： | 201680028567.7 | 申请日： | 2016-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN107667435B | 公开（公告）日： | 2020-02-28 |
| 发明（设计）人： | 原田真臣;东贤一;神川刚;酒井敏彦;国吉督章;辻埜和也;邹柳民 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/0747;H01L31/20;C23C16/24 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 汪飞亚;习冬梅 |
| 地址： | 日本国大*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 光电转换装置(1)具备以与半导体基板(101)的一个面相接的方式形成的i型非晶质半导体层(102i)、分隔而配置于i型非晶质半导体层(102i)上的p型非晶质半导体层(102p)与分隔而配置于i型非晶质半导体层(102i)上，且于半导体基板(101)的面内方向邻接于p型非晶质半导体层(102p)而形成的n型非晶质半导体层(102n)。进而，光电转换装置(1)具备电极(103)作为保护层，所述保护层是以在邻接的p型非晶质半导体层(102p)之间及邻接的n型非晶质半导体层(102n)之间与i型非晶质半导体层(102i)相接的方式形成。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 转换 装置 | ||
【主权项】：
一种光电转换装置，其特征在于，具备：半导体基板；本征非晶质半导体层，以与所述半导体基板的一个面相接的方式形成；第1非晶质半导体层，分隔而配置于所述本征非晶质半导体层上，具有第1导电类型；第2非晶质半导体层，分隔而配置于所述本征非晶质半导体层上，且于所述半导体基板的面内方向邻接于所述第1非晶质半导体层而形成，具有与所述第1导电类型相反的第2导电类型；与保护层，以在邻接的所述第1非晶质半导体层之间及邻接的所述第2非晶质半导体层之间与所述本征非晶质半导体层相接的方式形成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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