[发明专利]半导体加工用带有效
申请号: | 201680032247.9 | 申请日: | 2016-10-05 |
公开(公告)号: | CN107614641B | 公开(公告)日: | 2021-07-09 |
发明(设计)人: | 青山真沙美;佐野透 | 申请(专利权)人: | 古河电气工业株式会社 |
主分类号: | C09J7/30 | 分类号: | C09J7/30;B32B15/08;C09J11/04;C09J11/06;C09J133/06;C09J163/00;C09J171/12;C09J175/14;H01L21/301 |
代理公司: | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人: | 龚敏;王刚 |
地址: | 日本国东京都*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供在切割时能够将半导体晶圆良好地单片化、在封装时能够防止封装裂纹的产生的半导体加工用带。本发明的半导体加工用带(10)的特征在于,其具有:含有基材膜(11)和粘合剂层(12)的切割带(13)、设置在上述粘合剂层(12)上且用于保护半导体芯片的背面的金属层(14)、和设置在上述金属层(14)上且用于将上述金属层(14)粘接到半导体芯片的背面上的粘接剂层(15),上述金属层(14)的基于十点平均粗糙度的表面粗糙度RzJIS为0.5μm以上且低于10.0μm。 | ||
搜索关键词: | 半导体 工用 | ||
【主权项】:
一种半导体加工用带,其特征在于,其具有:含有基材膜和粘合剂层的切割带、设置在所述粘合剂层上的金属层、和设置在所述金属层上且用于将所述金属层粘接到半导体芯片的背面的粘接剂层,所述金属层的基于十点平均粗糙度的表面粗糙度RzJIS为0.5μm以上且低于10.0μm。
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