[发明专利]存储设备和存储系统有效
申请号: | 201680032405.0 | 申请日: | 2016-05-18 |
公开(公告)号: | CN107615482B | 公开(公告)日: | 2021-12-31 |
发明(设计)人: | 寺田晴彦 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L27/105 | 分类号: | H01L27/105;H01L27/10;H01L45/00;H01L49/00 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 郑宗玉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供一种具有适合于更高集成化的结构的同时确保制造的容易性的存储设备。所述存储设备具备沿着第一方向、从第一个存储单元部件到第n个存储单元部件相继层叠在基板上的n个存储单元部件。所述n个存储单元部件中每一个都包括:一个或多个第一电极;都被设置成与第一电极相交的多个第二电极;布置在第一电极和多个第二电极中的每一个的相交点的多个存储单元,所述多个存储单元分别连接到第一电极和第二电极两者;和连接到第一电极,形成一个或多个连接部分的一条或多条引出线。第(m+1)个存储单元部件中的至少一个连接部分被布置成在第一方向上、与在第m个存储单元部件中被多个存储单元围绕的第m个存储单元区域重叠。 | ||
搜索关键词: | 存储 设备 存储系统 | ||
【主权项】:
一种存储设备,包括:n个存储单元部件,所述n个存储单元部件被设置在基板上,并且沿着在第一方向上作为从第一个存储单元部件到第n个存储单元部件按顺序堆叠,所述n个存储单元部件中的每一个包括一个或多个第一电极,被设置成分别与第一电极相交的多个第二电极,设置在第一电极与所述多个第二电极的各个交点处的多个存储单元并且每个所述存储单元与第一电极和第二电极两者耦合,和耦合到第一电极来形成一个或多个耦合部分的一条或多条引出线,存储单元部件中的第(m+1)个存储单元部件中的一个或多个耦合部分位于该一个或多个耦合部分与第m个存储单元区域在第一方向上相互重叠的位置,其中m表示等于或小于n的自然数,在所述存储单元部件中的第m个存储单元部件中,所述第m个存储单元区域被多个存储单元围绕。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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