[发明专利]半导体元件的制造方法及制造装置有效
| 申请号： | 201680032946.3 | 申请日： | 2016-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN107636805B | 公开（公告）日： | 2020-12-11 |
| 发明（设计）人： | 平野兼史;大野克巳 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301;B23K26/073;B23K26/364 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 孙蕾 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的半导体元件的制造方法通过使激光(21)的聚光光点形状成为椭圆、使激光(21)聚光到半导体基板(10)与作为蒸发压力封闭薄片的固定用薄片(14)的界面(15)的预定分离线(12a)上而进行照射，将由于照射而产生的蒸发压力封闭在半导体基板(10)与固定用薄片(14)之间来作为针对半导体基板(10)的弯曲力发挥作用，使初始裂纹(13a)延伸。由此，能够减小激光(21)的能量，能够降低对半导体基板(10)的元件区域(11)的热损伤和碎屑，并且能够稳定地得到平坦性良好的分离面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 制造 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体元件的制造方法，其特征在于，包括：第1工序，将固定用薄片粘贴于形成有多个元件的半导体基板，在所述元件间的预定分离线上的一部分形成初始裂纹；以及第2工序，将激光照射到所述半导体基板的所述预定分离线上而使所述初始裂纹延伸，分离为各个所述元件，在所述第2工序中，使将脉冲激光器作为光源的激光的聚光光点形状成为椭圆，将该椭圆的长轴设为沿着所述预定分离线的方向，且使得该椭圆的半长轴a满足下述式1，使激光聚光到所述半导体基板与所述固定用薄片的界面的所述预定分离线上而进行照射，数学式1k：半导体基板的导热率，其单位是W/m·K，c：半导体基板的比热容量，其单位是J/kg·K，ρ：半导体基板的密度，其单位是kg/m3，tp：激光的脉冲宽度，其单位是s。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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