[发明专利]阻变存储器有效
| 申请号： | 201680033285.6 | 申请日： | 2016-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN108885893B | 公开（公告）日： | 2022-05-06 |
| 发明（设计）人： | 相川尚德;岸达也;中冢圭祐;稻叶聪;都甲大;细谷启司;J·Y·易;H·J·徐;S·D·金 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司;SK海力士公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00;G11C11/15;H01L21/8246;H01L27/105 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 王英杰;李峥 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 根据实施例，一种阻变存储器包括：半导体衬底，具有控制端子、第一端子和第二端子的晶体管，所述晶体管设置在半导体衬底上，覆盖所述晶体管的绝缘层，连接到所述第一端子且设置在所述绝缘层上的第一导线，设置在所述绝缘层上的第二导线，以及连接在所述第二端子和所述第二导线之间的阻变元件。在所述第一导线和所述第二导线的布置方向上，所述第一导线的宽度大于所述第二导线的宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种阻变存储器，包括：半导体衬底；晶体管，所述晶体管具有控制端子、第一端子和第二端子，所述晶体管被设置在所述半导体衬底上；覆盖所述晶体管的绝缘层；连接到所述第一端子并设置在所述绝缘层上的第一导线；设置在所述绝缘层上的第二导线；和连接在所述第二端子和所述第二导线之间的阻变元件，其中，在所述第一导线和所述第二导线的布置方向上，所述第一导线的宽度大于所述第二导线的宽度。
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