[发明专利]用于半导体设备的匹配腔室性能的方法

摘要

本发明的实施方式提供匹配及校准处理腔室中的处理腔室性能的方法。在一个实施方式中，用于校准用于半导体制造处理的处理腔室的方法包含以下步骤：在处理腔室中执行第一预定处理，在执行预定处理的同时收集第一组信号(第一组信号由设置在处理腔室中的第一组传感器传输至控制器)，分析所收集的第一组信号，将所收集的第一组信号与储存在控制器中的数据库比较以检查来自第一组传感器的传感器响应，当发现失配传感器响应时基于所收集的第一组信号来校准传感器，随后在处理腔室中执行第一系列处理，及在执行系列处理的同时收集第二组信号(第二组信号由传感器传输至控制器)。

主权项

一种用于校准用于半导体制造处理的处理腔室的方法，所述方法包含以下步骤：在处理腔室中执行第一预定处理；在执行所述预定处理的同时收集第一组信号，所述第一组信号由第一组设置于所述处理腔室中的传感器传输至控制器；分析所收集的所述第一组信号；将所收集的所述第一组信号与储存于所述控制器中的数据库比较，以检查来自所述第一组传感器的传感器响应；当发现失配传感器响应时，基于所收集的所述第一组信号来校准传感器；随后在所述处理腔室中执行第一系列处理；及在执行所述系列处理的同时收集第二组信号，所述第二组信号由所述传感器传送至所述控制器。