[发明专利]NAND存储器的浅沟槽隔离沟槽及方法有效
| 申请号： | 201680035137.8 | 申请日： | 2016-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN107743650B | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 吉田祐辅 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L27/06;H01L27/11526;H01L27/11529;H01L27/11546 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
提供了一种包含存储器单元区域和外围区域的NAND存储器。该外围区域包含设置在衬底上的浅沟槽隔离沟槽。该浅沟槽隔离沟槽包含第一顶表面以及第二顶表面。该第二顶表面的高度和该第一顶表面的高度之间的差值小于预定值Δ |
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| 搜索关键词： | nand 存储器 沟槽 隔离 方法 | ||
【主权项】：
一种NAND存储器，包括：存储器单元区域；以及外围区域，所述外围区域包括设置在衬底中的浅沟槽隔离沟槽，所述浅沟槽隔离沟槽包括：第一顶表面；以及第二顶表面，其中所述第二顶表面的高度和所述第一顶表面的高度之间的差值小于预定值ΔMAX。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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