[发明专利]针对电流驱动光学介质的控制组件在审
申请号: | 201680036157.7 | 申请日: | 2016-04-22 |
公开(公告)号: | CN107810557A | 公开(公告)日: | 2018-03-16 |
发明(设计)人: | 迪济亚诺·阿戈斯蒂内利;布拉格·亚格里奥古 | 申请(专利权)人: | 弗莱克英纳宝有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人: | 倪斌 |
地址: | 英国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及一种针对电流驱动光学介质的控制组件,例如包括用于驱动有源矩阵光电子器件的像素的薄膜晶体管(TFT)在内的控制组件。在控制组件内的单独导电层中设置附加电极,以便添加耦合到控制组件的栅电极的单独电容(C2),以补充已经耦合在栅电极和源电极之间的电容(C1)。 | ||
搜索关键词: | 针对 电流 驱动 光学 介质 控制 组件 | ||
【主权项】:
一种用于控制电流驱动光学介质的控制组件,所述控制组件包括用于驱动有源矩阵光电器件的像素的薄膜晶体管(TFT),所述控制组件包括:衬底,承载多个导电层,每个导电层由相应的电介质层和/或半导体层分开,以限定多个TFT和多个像素电极,所述多个像素电极中的每一个电连接到所述多个TFT中的至少一个;对于每个TFT:所述导电层中的第一导电层和第二导电层限定源/漏电极和栅电极,所述源/漏电极和所述栅电极被布置成使得:在所述源电极与所述栅电极之间限定第一存储电容器(C1),并且所述漏电极连接到相应像素电极;所述导电层中的第三导电层被布置成与所述像素电极或半导体沟道相比更强烈地电容性耦合到所述源电极或所述栅电极,其中,通过所述导电层中的第三导电层来限定第二电容器(C2)的第一板,并且通过所述栅电极或所述源电极来限定所述第二电容器(C2)的第二板,所述第二电容器(C2)向所述栅电极提供附加存储电容。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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