[发明专利]含有存储器区块电桥的三维存储器器件

摘要

单片三维存储器器件包含含有位于基板上的多个存储器子区块的第一存储器区块。每个存储器子区块包含存储器堆叠体结构的集和交替层的横向围绕存储器堆叠体结构的集的部分。交替层包含绝缘层和导电层。相邻存储器子区块的对的第一部分沿第一水平方向由背侧接触通孔结构相互横向地间隔。交替层的子集在相邻存储器子区块的对的第二部分之间连续地延伸，穿过沿着第二水平方向横向地间隔开的背侧接触通孔结构的两个部分之间的电桥区域中的间隙，以在相邻存储器子区块的对之间提供连接部分。

主权项

单片三维存储器器件，包括含有位于基板上的多个存储器子区块的第一存储器区块，其中：每个存储器子区块包括存储器堆叠体结构的集和交替层的横向围绕所述存储器堆叠体结构的集的部分；所述交替层包括绝缘层和导电层；相邻存储器子区块的对的第一部分沿第一水平方向由背侧接触通孔结构相互横向地间隔；并且所述交替层的子集在所述相邻存储器子区块的对的第二部分之间连续地延伸穿过所述背侧接触通孔结构的两个部分之间的电桥区域中的间隙，以在所述相邻存储器子区块的对之间提供连接部分，所述背侧接触通孔结构沿着第二水平方向横向地间隔开。