[发明专利]n-掺杂的导电聚合物材料有效
| 申请号： | 201680037915.7 | 申请日： | 2016-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN107922595B | 公开（公告）日： | 2020-09-25 |
| 发明（设计）人： | L-L·蔡;P·K-H·何;R-Q·彭;M·C-Y·昂;K-K·楚;C·G-Y·唐 | 申请（专利权）人： | 新加坡国立大学 |
| 主分类号： | C08G61/12 | 分类号： | C08G61/12;H01B1/12;H01L51/00;C08L65/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 王颖;胡嘉倩 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明提供一种包含n‑掺杂的导电聚合物的材料，该导电聚合物包含：气相电子亲和力(E |
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| 搜索关键词： | 掺杂 导电 聚合物 材料 | ||
【主权项】：
一种材料，其包含：‑n‑掺杂的导电聚合物，其包含至少一个缺电子芳族部分，各缺电子芳族部分的气相电子亲和力(EA)为1‑3eV；和‑至少一个与所述聚合物或材料中包含的其它聚合物共价结合的抗衡阳离子，其中,聚合物被n‑掺杂至电荷密度为0.1‑1电子/缺电子芳族部分，所述聚合物能形成真空功函(WF)为2.5‑4.5eV的层，其中材料中包含的所有抗衡阳离子被固定，这样所述聚合物中任何电子都无法明显扩散或迁移出所述聚合物。
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