[发明专利]摄像装置、制造方法和基板分割方法有效
| 申请号： | 201680039846.3 | 申请日： | 2016-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN107851647B | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 山口征也;高地泰三;古濑骏介;大井上昂志;池边祐希 | 申请（专利权）人： | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 瓮芳;陈桂香 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了半导体装置和半导体装置形成方法，所述半导体装置包括：第一基板；以及第二基板，所述第二基板与第一基板相邻，其中，所述第二基板的侧壁包括一个或多个切割部，所述切割部可以包括刀片切割部和隐形切割部。本发明还提供了摄像装置和摄像装置形成方法，所述摄像装置包括：第一基板；透明层；粘合剂层，所述粘合剂层位于所述第一基板与所述透明层之间；第二基板，其中，所述第一基板被布置在所述粘合剂层与所述第二基板之间；以及凹槽，所述凹槽从所述粘合剂层延伸至所述第二基板，其中，所述凹槽填充有所述粘合剂层。 | ||
| 搜索关键词： | 摄像 装置 制造 方法 分割 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其包括：第一基板；以及第二基板，所述第二基板与所述第一基板相邻，其中，所述第二基板的侧壁包括刀片切割部和隐形切割部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
