[发明专利]基材的处理方法及半导体装置有效
| 申请号： | 201680041470.X | 申请日： | 2016-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN107851551B | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 丸山洋一郎;森隆;水野光 | 申请（专利权）人： | JSR株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 陶敏;臧建明 |
| 地址： | 日本东京港*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基材的处理方法、暂时固定用组合物及半导体装置。本发明的基材的处理方法依次包括：形成层叠体的步骤，所述层叠体具有支撑体、暂时固定材以及基材，所述暂时固定材为具有与所述基材中的支撑体侧的面接触且由含有选自聚苯并噁唑前体及聚苯并噁唑中的至少一种聚合物的组合物形成的暂时固定材层(I)、以及形成于所述层(I)中的支撑体侧的面上且含有光吸收剂的暂时固定材层(II)的暂时固定材；对所述基材进行加工，和/或使所述层叠体移动的步骤；对所述层(II)照射光的步骤；自所述支撑体分离所述基材的步骤；以及自所述基材去除所述层(I)的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 基材 处理 方法 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种基材的处理方法，其依次包括：(1)形成层叠体的步骤，所述层叠体具有支撑体、暂时固定材以及基材，此处所述暂时固定材为具有与所述基材中的支撑体侧的面接触且由含有选自聚苯并噁唑前体及聚苯并噁唑中的至少一种聚合物的组合物形成的暂时固定材层(I)、以及形成于所述暂时固定材层(I)中的支撑体侧的面上且含有光吸收剂的暂时固定材层(II)；(2)对所述基材进行加工，和/或使所述层叠体移动的步骤；(3)对所述暂时固定材层(II)照射光的步骤；(4)自所述支撑体分离所述基材的步骤；以及(5)自所述基材去除所述暂时固定材层(I)的步骤。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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