[发明专利]用于基于箔的太阳能电池金属化的压痕法有效
申请号: | 201680041897.X | 申请日: | 2016-09-14 |
公开(公告)号: | CN107851675B | 公开(公告)日: | 2021-12-07 |
发明(设计)人: | 理查德·汉密尔顿·休厄尔;尼尔斯-彼得·哈德 | 申请(专利权)人: | 太阳能公司;道达尔销售服务公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0745;H01L31/0236;H01L31/18 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 顾丽波;李荣胜 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明描述了用于基于箔的太阳能电池金属化的压痕法以及所得的太阳能电池。例如,一种制造太阳能电池的方法包括在基板中或基板上方形成多个交替的N型半导体区域和P型半导体区域。所述方法还包括将金属箔定位于所述交替的N型半导体区域和P型半导体区域上方。该方法还包括形成仅穿过金属箔的一部分的多个压痕,所述多个压痕形成于与交替的N型半导体区域和P型半导体区域之间的位置相对应的区域。所述方法还包括在形成所述多个压痕之后隔离所述剩余金属箔中与所述交替的N型半导体区域和P型半导体区域相对应的区域。 | ||
搜索关键词: | 用于 基于 太阳能电池 金属化 压痕 | ||
【主权项】:
一种制造太阳能电池的方法,所述方法包括:在基板中或上方形成多个交替的N型半导体区域和P型半导体区域;将金属箔定位于所述交替的N型半导体区域和P型半导体区域上方;形成仅穿过所述金属箔的一部分的多个压痕,所述多个压痕形成于与所述交替的N型半导体区域和P型半导体区域之间的位置相对应的区域;以及在形成所述多个压痕之后,隔离所述剩余金属箔中与所述交替的N型半导体区域和P型半导体区域相对应的区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的