[发明专利]用于基于箔的太阳能电池金属化的压痕法有效

专利信息
申请号: 201680041897.X 申请日: 2016-09-14
公开(公告)号: CN107851675B 公开(公告)日: 2021-12-07
发明(设计)人: 理查德·汉密尔顿·休厄尔;尼尔斯-彼得·哈德 申请(专利权)人: 太阳能公司;道达尔销售服务公司
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01L31/0745;H01L31/0236;H01L31/18
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 顾丽波;李荣胜
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明描述了用于基于箔的太阳能电池金属化的压痕法以及所得的太阳能电池。例如,一种制造太阳能电池的方法包括在基板中或基板上方形成多个交替的N型半导体区域和P型半导体区域。所述方法还包括将金属箔定位于所述交替的N型半导体区域和P型半导体区域上方。该方法还包括形成仅穿过金属箔的一部分的多个压痕,所述多个压痕形成于与交替的N型半导体区域和P型半导体区域之间的位置相对应的区域。所述方法还包括在形成所述多个压痕之后隔离所述剩余金属箔中与所述交替的N型半导体区域和P型半导体区域相对应的区域。
搜索关键词: 用于 基于 太阳能电池 金属化 压痕
【主权项】:
一种制造太阳能电池的方法,所述方法包括:在基板中或上方形成多个交替的N型半导体区域和P型半导体区域;将金属箔定位于所述交替的N型半导体区域和P型半导体区域上方;形成仅穿过所述金属箔的一部分的多个压痕,所述多个压痕形成于与所述交替的N型半导体区域和P型半导体区域之间的位置相对应的区域;以及在形成所述多个压痕之后,隔离所述剩余金属箔中与所述交替的N型半导体区域和P型半导体区域相对应的区域。
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