[发明专利]半导体装置的制造方法以及半导体装置

摘要

半导体装置的制造方法，包括：掺杂物提供工序，向pn结露出的露出面中n型半导体层露出的第一露出区域提供n型掺杂物；沟道截断环形成工序，通过对第一露出区域进行激光照射，将n型掺杂物导入至n型半导体层从而形成沟道截断环至第一深度；以及氧化膜形成工序，形成氧化膜使其覆盖形成有沟道截断环的露出面，并且将沟道截断环的区域扩大至比第一深度更深的第二深度。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：半导体基体准备工序，准备具有pn结露出的露出面的半导体基体，所述pn结形成在第一导电型的第一半导体层与和所述第一导电型相反的第二导电型的第二半导体层之间的接合部上；掺杂物提供工序，向所述露出面中所述第一半导体层露出的所述第一露出区域提供第一导电型掺杂物；沟道截断环形成工序，通过对所述第一露出区域进行激光照射，将所述第一导电型掺杂物导入至所述第一半导体层从而形成沟道截断环直至第一深度；以及氧化膜形成工序，形成氧化膜使其覆盖形成有所述沟道截断环的所述露出面，并且将所述沟道截断环的区域扩大至比所述第一深度更深的第二深度。