[发明专利]采用谐振驱动电路的低功耗SRAM位单元有效
| 申请号： | 201680044308.3 | 申请日： | 2016-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN107851453B | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 大卫·A·霍夫曼 | 申请（专利权）人： | 电力荡半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/412 | 分类号： | G11C11/412;G11C11/413;G11C7/18 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张浴月;李晔 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种SRAM单元包括第一反相器，所述第一反相器具有经由第一电阻器耦接到第二反相器的输入引线的输出引线。第二反相器的输出引线通过第二电阻器耦接到第一反相器输入引线。第一写位线经由第一开关耦接到第一反相器输入引线，第二写位线经由第二开关耦接到第二反相器输入引线。由于电阻器的原因，驱动写位线的电路在向单元写入数据时不必使反相器过负荷。单元是包括几列SRAM单元的阵列的一部分，每列耦接到一对写位线。谐振振荡器用正弦波驱动写位线。这减少了SRAM阵列消耗的功率。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 谐振 驱动 电路 功耗 sram 单元 | ||
【主权项】：
一种SRAM单元，包括：第一反相器，具有输入引线和输出引线；第二反相器，具有输入引线和输出引线；第一电阻器，耦接在所述第一反相器的所述输出引线与所述第二反相器的所述输入引线之间，所述第二反相器的所述输出引线被耦接到所述第一反相器的所述输入引线；以及数据输入线，用于将输入数据施加到所述第一反相器的所述输入引线。
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