[发明专利]通过有源层挖掘工艺而具有隔离的周边接触部的三维存储器器件有效
| 申请号： | 201680047973.8 | 申请日： | 2016-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN107980173B | 公开（公告）日： | 2023-01-10 |
| 发明（设计）人： | S·S·S·维古纳塔;G·达马尔拉;J·周 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H10B43/27 | 分类号： | H10B43/27;H10B43/35;H10B43/40;H01L21/768;H01L21/3213;H01L21/311;G06F3/06 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 林金朝;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述了一种具有阵列区域和周边区域的三维存储器器件。所述阵列区域具有存储单元的三维堆叠体。所述周边区域具有从所述存储单元的三维堆叠体上方延伸到所述存储单元的三维堆叠体下方的接触部。所述周边区域大体上没有所述存储单元的三维堆叠体的导电和/或半导电层。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 有源 挖掘 工艺 具有 隔离 周边 接触 三维 存储器 器件 | ||
【主权项】：
一种装置，包括：三维存储器器件，所述三维存储器器件包括阵列区域和周边区域，所述阵列区域包括存储单元的三维堆叠体，所述周边区域包括从所述存储单元的三维堆叠体上方延伸到所述存储单元的三维堆叠体下方的接触部，所述周边区域大体上没有所述存储单元的三维堆叠体的导电和/或半导电层，所述周边区域由第一电介质组成，具有填充有第二电介质的开口。
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